1、依據(jù)輸出功率，采用線圈的導(dǎo)線

工作中于高頻段的電磁鐵，一般采用絲包線等帶絕緣層的導(dǎo)線繞制。輸出功率高過十多萬赫，而小于2MHz的電源電路中，采用多芯絕緣層的導(dǎo)線繞制線圈，那樣，可合理地提升電導(dǎo)體的面積，進(jìn)而能夠擺脫趨膚效應(yīng)的危害，使Q值比同樣截面的單條導(dǎo)線繞制的線圈高30%-50%。

在頻率高過2MHz的電源電路中，電磁鐵應(yīng)采用單條粗導(dǎo)線繞制，導(dǎo)線的直徑一般為0.3mm-1.5mm。采用間繞的電磁鐵，常見鍍金銅心線繞制，以提升導(dǎo)線表層的導(dǎo)電率。這時(shí)候不適合采用多芯導(dǎo)線繞制，由于多芯絕緣線在頻率很高時(shí)，線圈絕緣層物質(zhì)將造成附加的損耗，其實(shí)際效果反比不上單條導(dǎo)線好。

2、采用高品質(zhì)的線圈框架，降低物質(zhì)損耗

在頻率較高的場(chǎng)所，如中短波股票波段，由于一般的線圈框架，其物質(zhì)損耗明顯提升，因而，應(yīng)取用高頻率物質(zhì)原材料，如高頻率瓷、聚四氟乙烯、聚乙烯等做為框架，并采用間繞法繞制。

3、挑選有效的線圈規(guī)格

能夠降低損耗直徑一定的單面線圈(φ20mm-30mm)，當(dāng)繞阻長(zhǎng)短L與直徑D的比率L/D=0.7時(shí)，其損耗小;直徑一定的雙層線圈L/D=0.2-0.5，用t/D=0.25-0.1時(shí)，其損耗小。繞阻薄厚t、繞阻長(zhǎng)短L和直徑D中間考慮3t+2L=D的狀況下，損耗也小。采用屏蔽罩的線圈，其L/D=0.8-1.2時(shí)佳。

4、選中有效屏蔽罩的直徑

用屏蔽罩，會(huì)提升線圈的損耗，使Q值減少，因而屏蔽罩的規(guī)格不適合過小。殊不知屏蔽罩的規(guī)格過大，會(huì)擴(kuò)大容積，因此要選中有效屏蔽罩的直徑規(guī)格。

當(dāng)屏蔽罩直徑Ds與線圈直徑D比例考慮以下標(biāo)值即Ds/D=1.6-2.5時(shí)，Q值減少不超10%。

5、電磁鐵采用磁芯可讓線圈匝數(shù)明顯降低

線圈中采用磁芯，降低了線圈的匝數(shù)，不但減少線圈的阻值，有益Q值的提升，并且變小了線圈的容積。

6線圈直徑適度選大點(diǎn)，有利于減少損耗在將會(huì)的標(biāo)準(zhǔn)下，線圈直徑選對(duì)大一些，容積擴(kuò)大了一些，有益于減少線圈的損耗。一般接收機(jī)，單面線圈直徑取12mm-30mm;雙層線圈取6mm-13mm，但從容積考慮到，也不適合超出20mm-25mm的范疇。

7、減少繞制線圈的接觸電阻

盡可能采用無框架方法繞制線圈，或是繞制在凸筋式框架上的線圈，能減少接觸電阻15%-20%;按段繞法能減少雙層線圈的接觸電阻的1/3～l/2。針對(duì)雙層線圈而言，直徑D越小，繞阻長(zhǎng)短L越小或繞阻薄厚t越大，則接觸電阻越小。理應(yīng)強(qiáng)調(diào)的是：歷經(jīng)漫漬和封涂后的線圈，其接觸電阻將擴(kuò)大20%-30%。

總而言之，繞制線圈，自始至終提升Q值，減少損耗，做為考慮到的重中之重。